中國光刻技術另闢蹊徑，ASML訂單驟降，從特朗普關稅到晶片管制，地緣政治重塑半導體行業？

半導體設備龍頭荷蘭阿斯麥（ASML）公布訂單銳減，引發市場憂慮。在此之前，中國科學院宣布在深紫外光（DUV）光刻技術取得突破，理論上可推進至3納米製程，並採用不同於ASML的技術路徑。在中美科技競爭及貿易壁壘背景下，這些事件正重塑全球半導體供應鏈。

中國光刻技術新進展：潛力與現實差距

中國科學院近期宣布，其研究團隊透過創新的固態雷射方案，成功產生了波長193納米（nm）的深紫外光（DUV）相干光源，相關成果發表於《國際光電工程學會》期刊。193nm是當前主流DUV光刻機的核心波長。

此固態雷射技術與ASML等主流廠商採用的準分子雷射（Excimer Laser）不同，理論上可支持半導體製程向5納米甚至3納米延伸。若此技術路徑最終證實商業可行，可能為中國在光刻機領域繞開現有技術壁壘提供新途徑。

這項進展被視為中國在美國及其盟友加強技術出口管制下，尋求半導體技術自主化的重要一步。光刻機是晶片製造的關鍵設備，其本土化突破具有戰略意義。但研究團隊承認，新技術在輸出功率、穩定性及脈衝頻率等關鍵指標上，與ASML等成熟商用設備存在顯著差距。

ASML訂單下滑：市場放緩與管制衝擊

全球光刻機市場領導者ASML正面臨挑戰。該公司最新財報顯示，第一季新增訂單金額僅39.4億歐元，較前一季近乎腰斬。

訂單下滑主要原因有二。其一，市場需求週期性放緩。全球消費性電子產品（如手機、PC）需求降溫，部分晶片製造商延後擴產及設備採購。雖AI、高效能運算需求仍強，但不足以完全抵銷其他領域的下滑。其二，出口管制影響。美國聯合荷蘭、日本等國，持續收緊對中國出口先進半導體設備的限制。ASML的頂尖極紫外光（EUV）光刻機早已禁售中國，部分高性能DUV光刻機的出口也受限。中國是ASML的重要市場，出口限制直接影響其訂單。ASML亦在財報中指出，地緣政治和貿易管制帶來不確定性。

地緣政治與貿易壁壘：半導體產業的深層影響

近年全球半導體產業的動盪，與地緣政治因素密切相關。特朗普發起的關稅戰，雖主要針對廣泛貿易，但其引發的中美摩擦及對「國家安全」的強調，為後續的科技競爭埋下伏筆。

現行的、更具針對性的半導體技術與設備出口管制，其影響更為直接。

對全球供應鏈而言，變化的管制使企業難以規劃長期投資與供應鏈，增加了不確定性與成本。同時，各國強調供應鏈韌性與本土製造，可能導致全球整合的供應鏈趨向碎片化或區域化，或降低效率。此外，預期性的囤貨與庫存調整，也放大了市場供需波動。

對荷蘭ASML而言，出口管制限制了其向中國銷售先進DUV及EUV設備，使其損失部分增長機會。ASML還需投入資源應對複雜的出口法規與合規審查，增加了營運複雜性。長遠來看，若中國自主技術取得實質突破，可能逐步影響ASML的市場地位。

對中國光刻機發展而言，外部壓力強化了其發展自主半導體產業鏈的決心，並增加投入。中科院的成果即為此背景下的嘗試。壓力也促使中國加速尋找替代技術路徑和建設本土供應鏈。儘管短期內，缺乏最先進設備將限制中國高階晶片製造能力，但其長期目標是建立獨立自主的產業生態。

全球半導體產業正經歷深刻變革。中國在光刻技術上取得的進展，雖距商業化尚遠，但顯示其自主化的決心。ASML面臨的訂單壓力，則反映了市場週期與地緣政治風險的雙重影響。

Text by BusinessFocus Editorial

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