半導體能源研究所股份有限公司山崎舜平博士刷新「Most patents credited as inventor（作為發明人擁有的最多專利）」的金氏世界紀錄（TM）稱號獲得20,120件專利

By PR Newswire on 29 Sep 2025

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日本厚木2025年9月29日 /美通社/ -- 截至2025年3月31日為止，半導體能源研究所股份有限公司（SEL）山崎舜平博士在半導體裝置、顯示器和模擬AI等領域共獲得20,120件專利，刷新了其自身持有的「Most patents credited as inventor（作為發明人擁有的最多專利）」的金氏世界紀錄（TM）稱號。這一成就大幅刷新他之前創下的紀錄：2004年3,245件專利、2011年6,314件專利、2016年11,353件專利。

照片：
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104105/202509195500/_prw_PI1fl_CUnR65l4.jpg

該紀錄於2025年7月9日由六位智慧財產權專業人士進行驗證，山崎博士於2025年9月17日收到了金氏世界紀錄的認證證書。這些專利包括自1969年至2025年3月31日頒發的日本、美國、韓國、中國和德國等國家的專利。大名鼎鼎的「發明王」湯瑪斯-愛迪生（Thomas Edison，美國，1847-1931）一生共獲得了2,332件專利，山崎博士已遠遠超過了這一數字。

山崎先生表示：「該兩萬餘件專利是近60年研究工作的成果。憑藉該紀錄，我們將繼續推動諸如超低功耗LSI和模擬AI等技術的發展，以防止全球變暖。」

山崎舜平博士個人介紹
工學博士，半導體能源研究所股份有限公司（SEL）董事長兼CEO

1942年出生。1970年，他發明了被稱為「快閃記憶體」的非易失性記憶體的基本器件（41件專利，包括日本專利第886343號（日本專利申請公開公報第50-36955號公報）、美國專利第3,878,549號等基本發明）。1980年，他創立了SEL並擔任代表董事。1997年，因在MOS LSI元件技術方面的創新，被日本政府授予紫綬獎章（Medal with Purple Ribbon）。他發表了一種具有yA/微米（10的-24次方A/微米）量級的極低關斷電流的氧化物半導體FET*1及*2。

他是IEEE（美國電氣電子工程師學會）終身會士、瑞典皇家工程科學院（IVA: Royal Swedish Academy of Engineering Science）的外籍會員、世界陶瓷學院（WAC: World Academy of Ceramics）院士和電化學學會（ECS: Electrochemical Society）會員。他還是同志社大學名譽文化博士，同志社社友，該稱號僅授予對同志社有傑出貢獻者。

關於半導體能源研究所股份有限公司（SEL）
SEL在實行一種專注於研發的獨特商業模式。SEL致力於開發使用結晶性氧化物半導體（包括CAAC-OS*3）的極低功耗大規模集成電路（OSLSI）、模擬AI、有機EL顯示器以及電子電路和元件以實現更高性能的OLED顯示器。

半導體能源研究所股份有限公司（SEL）的網站：
https://www.sel.co.jp/en/

*1 yA/微米：yA/微米中的y（攸）是國際單位制（SI）中的前綴之一，yA/微米表示「攸安培/微米」或者10的-24次方A/微米。
*2 K. Kato et al., Jpn. J. Appl. Phys., 51, 021201-01 （2012）
*3 CAAC-OS：c軸結晶氧化物半導體
*OSLSI、CAAC-OS和CAAC是SEL的註冊商標（No.5698906、5473535和5473530）