【聯手研發】IBM發佈全球首個5nm晶片，可為超薄手機帶來更強效能

IBM昨日聯同三星以及專業晶圓代工廠在2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits活動中發佈全球首款5nm製程晶片。晶片體積只有指甲般大小，但内含了300億組電晶體。

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除技術比2年前以7nm製程技術所製成的200億組電晶體晶片相比有所增長外，這晶片也為首款採用Gate-all-around (GAA)晶體管技術以及極紫外線微影技術（extreme ultraviolet，EUV）。

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這晶片一樣以FinFET為核心技術，但當中加入了GAA技術，並結合成次世代技術GAAFET。IBM指出，雖然現時的FinFET技術也可縮至5nm製程，但由於其設計本質所限，5nm製程的FinFET造出來的晶片效能始終有所限制。GAAFET技術採用了較FinFET簡單的晶片結構設計，更可將製程縮小至3nm。

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IBM指出，利用這新技術所做出來的晶片效能比現時普遍的10nm製程晶片高約40%。另外，新技術製造出來的晶片同時能降低約75%電力損耗。對處理器來說，這代表了未來可用更少的電力耗損就能達成原本運算效能，甚至發揮更強的運算能力。其嶄新的結構更意味日後可用在體積更小的裝置之中。

資料來源：Ars Technica