DARPA應對鎵齣口限製 推動鑽石與氮化鋁半導體技術

為迴應中國自 10 月起的「稀土管理條例」，美國國防部現已展開相關對策，加快推動以閤成鑽石及氮化鋁為基礎的新型半導體技術開發。由於中國在全球鎵供應中佔主導地位，其近期實施的齣口限製被視為對西方的一次重大貿易策略變動。鎵則是製造高頻高功率半導體的重要材料，該管製措施可能對美國的國傢安全構成風險。

閤成鑽石與氮化鋁的潛力

面對挑戰，美國國防高等研究計畫署（DARPA）委託雷神公司負責開發半導體技術，以閤成鑽石和氮化鋁作為關鍵材料，這兩者皆被看作是未來可能取代鎵（GaN）的重要選擇。具體而言，閤成鑽石可以提供約 5.5 eV 的寬能隙，而氮化鋁的能隙甚至更寬，達 6.2 eV，這顯示齣二者在高效能應用中的潛力。

目標應用與開發階段

雷神公司的目標為將這些新興材料應用於最新一代的雷達與通訊系統中，包括射頻開關、功率放大器等裝置，預期在閤作感測、電子戰和高速武器集成等軍事領域產生突破。現在，公司正在啟動首個開發階段，集中於基於鑽石和氮化鋁的半導體薄膜製作。後續則會專註於大尺寸晶圓的工藝改進以及感測器應用的技術推廣。

閤約規劃與技術過渡

根據閤約要求，雷神必須在三年內完成所渉及的技術開發。這反映瞭項目的緊迫性與重要性。由於雷神在 GaN 和砷化鎵（GaAs）技術方面有著豐富經驗，尤其在國防應用領域，他們被選為此次重要任務的閤作夥伴。雷神先進技術總裁 Colin Whelan 強調，此次努力將為半導體技術領域帶來新的革命機遇。